1 • característica de avance
En los circuitos electrónicos, el ánodo del diodo en el extremo caliente, negativo en el extremo inferior, el diodo conducirá esta conexión, conocida como polarización directa. Tengo que decir que cuando el voltaje directo del diodo es muy pequeño, el diodo todavía no puede pasar, la corriente directa fluye a través del diodo es muy débil. Solo cuando el voltaje alcanza un cierto valor (este valor se llama&"voltaje umbral GG"; el tubo GE es de aproximadamente 0,2 V, el silicio es de aproximadamente 0,6 V), la conducción del diodo. Los voltajes de los diodos de ruptura permanecen esencialmente sin cambios (el tubo GE es de aproximadamente 0,3 V, el tubo de silicio es de aproximadamente 0,7 V), denominado diodo&"caída de presión GG".
2 • característica inversa
En los circuitos electrónicos, el ánodo del diodo en el extremo frío, negativo en el extremo caliente, poca corriente en el diodo y el diodo en un estado como en este momento, esta forma de conexión, conocida como polarización inversa. Cuando el diodo tiene polarización inversa, todavía habrá una corriente inversa débil que fluye a través del diodo, conocida como corriente de fuga. Cuando el voltaje inverso del diodo aumenta a un cierto valor, la corriente inversa aumenta considerablemente, el diodo perderá conductividad unidireccional, este estado se llama ruptura del diodo. La corriente inyectada debe ser mayor que la densidad de corriente crítica del diodo láser, se cumplen y emiten las condiciones del láser a la inversa. La densidad de corriente crítica y la temperatura de la superficie, e indirectamente se benefician. Operaciones a alta temperatura, aumento de la corriente crítica, rentabilidad y disminución o incluso daño de componentes.