SES22 22W 9xxnm 915nm 976nm COS (Chip en submontaje) Paquete Diodo láser
Se han realizado pruebas de envejecimiento en la línea de producción para garantizar una vida útil confiable, estable y prolongada.
Característica:
La potencia de salida más alta
Estructura de pozo cuántico único altamente confiable
Longitud de onda estándar a 915 y 976nm
Ancho del emisor de 190 μm
Paquete P Down
Solicitud:
Bombeo por láser de fibra
Procesamiento de materiales
Médico
Características ópticas:
N.º de artículo: COS9XXDL22
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 976nm/915nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ±10nm |
| Potencia de salida | 22W |
| FWHM | 26 grados |
| Ancho del emisor | 190um |
| Eléctrico | |
| Corriente de funcionamiento Iop | 25A |
| Umbral de corriente Ith | 1.4A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.8V |
| Eficiencia de pendiente | 0.95W/A |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-35 grado |
| Temperatura de almacenamiento | -30~70 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda |
0.3nm/ grado
|
De acuerdo con los datos de prueba del chip de un solo emisor. El chip de un solo emisor se prueba en forma de paquete COS (Chip On Submount), y la temperatura de prueba COS es de 25 grados.
Dibujo del paquete:
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