Diodos de cristal para un semiconductor de tipo p y la formación de unión p-n semiconductor de tipo n, en la capa de carga espacial se forma en ambos lados de la interfaz, y desde entonces ha construido un campo eléctrico. Cuando no hay tensión externa, el resultado de la unión p-n en ambos lados de la corriente de difusión de gradiente de concentración portadora y construyó un campo eléctrico de corriente de deriva en equilibrio eléctrico es el mismo.
Cuando el exterior cuando hay un desplazamiento de voltaje positivo, campo eléctrico externo y construir efecto de inhibición mutua del campo eléctrico para aumentar la difusión de los portadores ha causado la corriente de avance.
Cuando el exterior cuando hay una tensión de sesgo inverso, la construcción de campo eléctrico por campo eléctrico externo y fortalecer y formar un cierto rango de voltaje inverso del valor de voltaje de polarización inversa de la corriente de saturación inversa I0.
Cuando la tensión inversa hasta cierto punto, la intensidad del campo eléctrico de la unión p-n en el proceso de multiplicación portador de capa de carga espacial alcanza un valor crítico, produce un gran número de pares de agujeros de electrones, es tan grande que se produce la corriente de descomposición inversa, conocida como el fenómeno de descomposición de diodos.