Descripción
Láser de diodo de paquete COS de 808 nm y 8 W
Características principales:
Basado en el crecimiento de la capa epitaxial de pozos cuánticos de última generación y una estructura confiable de guía de ondas de cresta
Los paquetes de baja temperatura de unión y baja resistencia térmica prolongan la vida útil y aumentan la confiabilidad
Ficha de datos:
N. ° de artículo: COS808DL8
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 808 nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ± 5 nm |
| Potencia de salida | 8W |
| Ancho espectral FWHM | 6 nm |
| Eficiencia de pendiente | 1.0W/A |
| Divergencia de eje rápido | 30 grados |
| Divergencia de eje lento | 10 grados |
| Eléctrico | |
| Iop de corriente de funcionamiento | 12A |
| Ith de corriente de umbral | 1.5A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.8V |
| Eficiencia de conversión de energía | 50% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-55℃ |
| Temperatura de almacenamiento | -30~70℃ |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,3 nm / ℃ |
Dibujo del paquete:
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