Chip láser de diodo COS de 808 nm y 10 W en submontaje
Características principales:
Longitud de onda central de 808 nm
Potencia de salida óptica de 10 W
Alta eficiencia electroóptica
Alta confiabilidad
Paquete de submontaje
Para bombeo, iluminación, procesamiento de materiales y aplicaciones médicas.
Ficha de datos:
N. ° de artículo: COS808DL10
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 808 nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ± 5 nm |
| Potencia de salida | 10W |
| Ancho espectral FWHM | 6 nm |
| Eficiencia de pendiente | 1.0W/A |
| Divergencia de eje rápido | 30 grados |
| Divergencia de eje lento | 10 grados |
| Eléctrico | |
| Iop de corriente de funcionamiento | 12A |
| Ith de corriente de umbral | 1.5A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.8V |
| Eficiencia de conversión de energía | 50% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-55℃ |
| Temperatura de almacenamiento | -30~70℃ |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,3 nm / ℃ |
Dibujo del paquete:
PREGUNTAS MÁS FRECUENTES:
¿Y la entrega?
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