Chip láser de emisor único de 25 W y 915 nm
Los chips láser utilizan el principio de radiación estimulada para generar láseres a través de materiales semiconductores bajo la estimulación de señales eléctricas, realizando así el proceso de convertir energía eléctrica en energía luminosa. Esta tecnología es de gran importancia para la amplia aplicación de comunicaciones por fibra óptica, fabricación industrial, detección 3D, lidar automotriz y otros campos.
Características clave:
Longitud de onda central de 915 nm
Componente clave para la conversión inicial de energía eléctrica en luz.
Ampliamente utilizado en el procesamiento directo de materiales o bombeo óptico de láseres-de estado sólido, láseres de fibra o láseres de disco.
Especificación:
Número de artículo: LC915SE25
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Óptico |
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Longitud de onda central |
915nm |
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Potencia de salida óptica |
25W |
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Modo de trabajo |
CW |
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Ancho del espectro |
5nm |
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Ancho del emisor |
200μm |
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Ancho de la cavidad |
490-510μm |
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Longitud de la cavidad |
4290-4310μm |
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Espesor de la cavidad |
115-135μm |
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Divergencia rápida del eje (FWHM) |
30 grados |
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Divergencia del eje lento (FWHM) |
12 grados |
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Eléctrico |
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Corriente operativa Iop |
26.1A |
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Umbral de corriente Ith |
1.8A |
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Voltaje de funcionamiento Vop |
1.8V |
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Eficiencia de conversión |
50% |
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Térmico |
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Temperatura de funcionamiento |
15-35 grados |
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Coeficiente de temperatura de longitud de onda |
0,35 nm/grado |
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