Descripción
Láser de diodo COS monomodo de 1W 975nm
Características:
Chip de diodo láser semiconductor de alta potencia o CoS
Alta fiabilidad y rentabilidad
Modo único para sensor de fibra o comunicación por fibra óptica
La estructura especial de epitaxia DCH (Hetrosteucture de Confirement desacoplada) puede garantizar la alta confiabilidad a una salida de alta potencia
Solicitud:
Atención médica;
Impresión;
Pumpsource.
Ficha de datos:
Número de artículo: COS975DL1
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 975 nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ± 10 nm |
| Potencia de salida | 1W |
| Modo longitudinal | Modo singular |
| Ancho espectral FWHM | ≤6nm |
| Eficiencia de pendiente | 1.0W/A |
| Divergencia de eje rápido | 30 grados |
| Divergencia de eje lento | 10 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eléctrico | |
| Iop de corriente de funcionamiento | 1.06A |
| Ith de corriente de umbral | 0.09A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 2V |
| Eficiencia de conversión de energía | 45% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-55℃ |
| Temperatura de almacenamiento | -30~70℃ |
| Temp. De longitud de onda Coeficiente | 0,3 nm / ℃ |
Dibujo del paquete:
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