VCSEL, es decir, láser emisor de superficie de cavidad vertical, combina las ventajas de alta potencia de salida, alta eficiencia de conversión y haz de alta calidad. En comparación con el LED y el láser de emisión de bordes EEL, tiene las ventajas de precisión, miniaturización, bajo consumo de energía, confiabilidad y otros aspectos que son superiores en todos los aspectos.
Los dispositivos VCSEL tienen dos estructuras básicas. Una es una estructura de emisión superior: se cultiva en un sustrato de GaAs de tipo n utilizando tecnología MOCVD, DBR se utiliza como un espejo de cavidad láser y la región activa del pozo cuántico se intercala entre n-DBR y p-DBR entre . La otra es la estructura de emisión del fondo, que generalmente se usa para producir la banda de 976-1064 nm. Por lo general, el sustrato se adelgaza a menos de 150 μm para reducir la pérdida por absorción del sustrato, y luego se hace crecer una capa de revestimiento antirreflectante para mejorar la calidad del rayo láser. Finalmente, el chip de ganancia instalado en el disipador de calor.
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