Descripción
Chip láser de emisor único CW 10W 976nm para procesamiento de materiales
Características:
- La nueva tecnología proporciona una potencia de salida de 10 W y un chip láser de longitud de onda central de 976 nm.
- Con modo de trabajo CW, eficiencia de pendiente de solo 1 nm
- Divergencia de eje rápido de 29 grados, divergencia de eje lento de 9 grados
- La eficiencia de conversión de energía puede alcanzar el 58%
- Alta confiabilidad y estabilidad
- Amplio stock de chips y barras desnudas.
Aplicaciones:
- Semiconductores para láseres de diodo de alta-potencia en el procesamiento directo de materiales.

Ficha de datos
Número de artículo: LC976SE10
Nombre del artículo: Chip láser de emisor único CW 976nm
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Óptico |
tipo |
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Longitud de onda central |
976 nm |
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Potencia de salida |
10W |
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Modo de trabajo |
CW |
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Ancho del espectro |
4nm |
| Número de emisor | 1 |
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Ancho del emisor |
95μm |
| Ancho de la cavidad | 400um |
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Longitud de la cavidad |
4000μm |
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Espesor |
130μm |
| Divergencia rápida del eje | 29 grados |
| Divergencia del eje lento | 9 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1W/A |
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Eléctrico |
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Corriente operativa Iop |
13A |
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Umbral de corriente Ith |
0.7A |
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Voltaje de funcionamiento Vop |
1.65V |
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Eficiencia de conversión |
58% |
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Térmico |
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Temperatura de funcionamiento |
25 grados |
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Coeficiente de temperatura de longitud de onda |
0,35 nm/grado |
Curva LIV:

- A medida que el mundo se vuelve cada vez más dependiente de la tecnología, la demanda de componentes electrónicos sigue aumentando.
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