Chips láser de emisor único de 20 W y 976 nm

Chips láser de emisor único de 20 W y 976 nm

Número de artículo: LC976SE20
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Descripción

 

microprocesadores del laser del solo emisor de 20W 976nm para médico y estético

 

Características:

  • Modo de trabajo CW, eficiencia de pendiente de 1W/A
  • Divergencia de haz bajo y pequeña apertura de emisión de luz.
  • Chip láser de emisor único
  • Diseño optimizado de la estructura epitaxial5. Alta eficiencia de conversión de energía

Solicitud:

  • Médico y Estético
  • Iluminación láser
  • Comunicación óptica en espacio libre.
CW 976nm Single Emitter Laser Chip

 

 

El chip láser es un dispositivo central indispensable para el desarrollo de la industria del láser y el núcleo técnico de toda la cadena de la industria del láser. Chip láser de emisor único de 20 W y 976 nm con modo de trabajo CW y con solo 1 emisor. La eficiencia de conversión de energía puede alcanzar el 54%.

 

 

Parámetro técnico

Número de artículo: LC976SE20

Nombre del artículo: Chips láser de emisor único de 20 W y 976 nm

Óptico

tipo

Longitud de onda central

976 nm

Potencia de salida

20W

Modo de trabajo

CW

Ancho del espectro

4nm

Número de emisor 1

Ancho del emisor

190μm

Ancho de la cavidad 500um

Longitud de la cavidad

4000μm

Espesor de la cavidad

130μm

Divergencia rápida del eje 29 grados
Divergencia del eje lento 9 grados
Modo de polarización TE
Eficiencia de pendiente 1W/A

Eléctrico

Iop de corriente operativa

23A

Umbral de corriente Ith

1.2A

Voltaje de funcionamiento Vop

1.7V

Eficiencia de conversión

54%

Térmico

Temperatura de funcionamiento

25 grados

Coeficiente de temperatura de longitud de onda

0,35 nm/grado

 

Curva LIV:

20w 976 SE drawing

 

Los chips láser son los componentes centrales de la tecnología optoelectrónica moderna y su sistema de materiales determina el rendimiento y las áreas de aplicación de los láseres. Según los diferentes sistemas de materiales, los chips láser se dividen principalmente en series de luz azul basadas en nitruro de galio (GaN)-, arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de indio (InP), etc. Estos materiales generalmente existen en forma de compuestos ternarios o cuaternarios y tienen sus propias características únicas y ventajas de aplicación.

El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de banda prohibida amplia que se utiliza ampliamente en láseres de luz azul debido a su excelente movilidad de electrones y alta conductividad térmica. Los láseres basados ​​en nitruro de galio-tienen las características de alta potencia, alta eficiencia y larga vida útil, y se utilizan ampliamente en campos como la lectura de CD, la tecnología de visualización y los equipos médicos.

El arseniuro de galio (GaAs) es un importante material semiconductor III-V que se utiliza ampliamente en láseres en las bandas infrarroja e infrarroja cercana-. El sistema de material GaAs se puede combinar con elementos como el aluminio y el antimonio para formar una variedad de compuestos, como el aluminio, galio y arsénico (AlGaAs) y el indio, galio y arsénico (InGaAs). Estos materiales se utilizan ampliamente en comunicaciones electro-ópticas, almacenamiento óptico y tecnología de radar.

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