microprocesadores del laser del solo emisor de 20W 976nm para médico y estético
Características:
- Modo de trabajo CW, eficiencia de pendiente de 1W/A
- Divergencia de haz bajo y pequeña apertura de emisión de luz.
- Chip láser de emisor único
- Diseño optimizado de la estructura epitaxial5. Alta eficiencia de conversión de energía
Solicitud:
- Médico y Estético
- Iluminación láser
- Comunicación óptica en espacio libre.

El chip láser es un dispositivo central indispensable para el desarrollo de la industria del láser y el núcleo técnico de toda la cadena de la industria del láser. Chip láser de emisor único de 20 W y 976 nm con modo de trabajo CW y con solo 1 emisor. La eficiencia de conversión de energía puede alcanzar el 54%.
Parámetro técnico
Número de artículo: LC976SE20
Nombre del artículo: Chips láser de emisor único de 20 W y 976 nm
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Óptico |
tipo |
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Longitud de onda central |
976 nm |
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Potencia de salida |
20W |
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Modo de trabajo |
CW |
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Ancho del espectro |
4nm |
| Número de emisor | 1 |
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Ancho del emisor |
190μm |
| Ancho de la cavidad | 500um |
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Longitud de la cavidad |
4000μm |
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Espesor de la cavidad |
130μm |
| Divergencia rápida del eje | 29 grados |
| Divergencia del eje lento | 9 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1W/A |
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Eléctrico |
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Iop de corriente operativa |
23A |
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Umbral de corriente Ith |
1.2A |
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Voltaje de funcionamiento Vop |
1.7V |
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Eficiencia de conversión |
54% |
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Térmico |
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Temperatura de funcionamiento |
25 grados |
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Coeficiente de temperatura de longitud de onda |
0,35 nm/grado |
Curva LIV:

Los chips láser son los componentes centrales de la tecnología optoelectrónica moderna y su sistema de materiales determina el rendimiento y las áreas de aplicación de los láseres. Según los diferentes sistemas de materiales, los chips láser se dividen principalmente en series de luz azul basadas en nitruro de galio (GaN)-, arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de indio (InP), etc. Estos materiales generalmente existen en forma de compuestos ternarios o cuaternarios y tienen sus propias características únicas y ventajas de aplicación.
El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de banda prohibida amplia que se utiliza ampliamente en láseres de luz azul debido a su excelente movilidad de electrones y alta conductividad térmica. Los láseres basados en nitruro de galio-tienen las características de alta potencia, alta eficiencia y larga vida útil, y se utilizan ampliamente en campos como la lectura de CD, la tecnología de visualización y los equipos médicos.
El arseniuro de galio (GaAs) es un importante material semiconductor III-V que se utiliza ampliamente en láseres en las bandas infrarroja e infrarroja cercana-. El sistema de material GaAs se puede combinar con elementos como el aluminio y el antimonio para formar una variedad de compuestos, como el aluminio, galio y arsénico (AlGaAs) y el indio, galio y arsénico (InGaAs). Estos materiales se utilizan ampliamente en comunicaciones electro-ópticas, almacenamiento óptico y tecnología de radar.
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