Chip láser de emisor único de 50 W y 905 nm
Características:
- potencia de salida de 50W
- El ancho del pulso es de 100 ns
- Longitud de la cavidad de 1000 um, ancho del chip de 400 um
- Alta eficiencia de conversión de energía 40%
Aplicaciones:
- Médico y Cosméticos
- Procesamiento de materiales
- Bombeo de láseres-de estado sólido
- Investigación científica

Chip láser de 50 W desmontado, de alta potencia, capaz de funcionar en modo de onda discontinua (QCW) con una potencia de salida óptica máxima de hasta 50 W (905 nm). Este producto tiene una alta eficiencia de conversión de energía. Está optimizado para producción de alto-volumen.
Otras longitudes de onda y potencias están disponibles de forma personalizada. ¡No dude en contactarnos si es necesario!
Ficha de datos
Número de artículo: LC905SE50
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Óptico |
tipo |
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Longitud de onda central |
905nm |
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Potencia de salida |
50W |
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Modo de trabajo |
QCW |
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Ancho del espectro |
4nm |
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Ancho del emisor |
135μm |
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Longitud de la cavidad |
1000μm |
| Ancho de viruta | 400um |
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Espesor |
130μm |
| Divergencia rápida del eje | 30 grados |
| Divergencia del eje lento | 10 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 3W/A |
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Eléctrico |
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Iop de corriente operativa |
21A |
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Umbral de corriente Ith |
0.9A |
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Voltaje de funcionamiento Vop |
6.3V |
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Eficiencia de conversión |
40% |
| Ancho de pulso | 100ns |
| Ciclo de trabajo | 0.01% |
| Frecuencia de repetición | 1000Hz |
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Térmico |
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Temperatura de funcionamiento |
25 grados |
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Coeficiente de temperatura de longitud de onda |
0,31 nm/grado |
Dibujo:

Láser de diodo de emisor único:
Un método común es agrupar varios emisores a lo largo de un chip de área grande llamado tira, pila de tiras o conjunto de diodos láser monolíticos, con un número de emisores de diodos en una sola tira que oscila entre aproximadamente 10 y 100.

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