Descripción
Chip láser de emisor único de 10 W 808 nm de alta calidad
Característica:
58% de eficiencia de conversión de energía
Potencia de salida 10W
Larga vida útil y alta confiabilidad
Solicitud:
Tecnología de impresión
Medicina: estética, dermatología y cirugía
Semiconductores para láseres de diodos de alta potencia en el procesamiento directo de materiales
Ficha de datos
No. del artículo: LC808SE10
Nombre del artículo: Chip de diodo láser de 10 W 808 nm
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 808 nm |
| Potencia de salida | 10W |
| Ancho espectral FWHM | 3 nm |
| Eficiencia de pendiente | 1.22W/A |
| Divergencia rápida del eje | 36 grados |
| Divergencia del eje lento | 10 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Tamaño del emisor | 200um |
| Eléctrico | |
| Corriente de umbral | 1.25A |
| Corriente de funcionamiento | 10A |
| Tensión de funcionamiento | 1.75V |
| Eficiencia de conversión de energía | 58% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-35℃ |
| Temperatura de almacenamiento | 0-80℃ |
| Temp. De longitud de onda Coeficiente | 0,28 nm / ℃ |
Embalaje:
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