Chip láser de barra desnuda de 200 W y 940 nm
Descripción general
Características:
Tecnología AlGaAs de alto rendimiento para mayor confiabilidad y vida útil
Potencia 200W CW
Amplia variedad de configuraciones de barras.
Las nuevas barras láser de diodo de 940 nm brindan rendimiento y confiabilidad de clase mundial-.
Solicitud:
Bombeo industrial, Iluminación láser.
Comunicación óptica en espacio libre.
Lidar con detección de viento
Lidar de conducción autónoma
Especificación:
Número de artículo: LC940SB200
Nombre del artículo: Chip láser de barra única de 200 W y 940 nm
| Óptico | tipo |
| Longitud de onda central | 940 nm |
| Potencia de salida | 200W |
| Modo de trabajo | CW |
| Ancho del espectro | 4nm |
| Número de emisor | 24 |
| Ancho del emisor | 140μm |
| Paso del emisor | 400μm |
| Factor de llenado | 35% |
| Ancho de la barra | 10000μm |
| Longitud de la cavidad | 3000μm |
| Espesor | 130μm |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 29 grados |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 8 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1.05W/A |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 210A |
| Umbral de corriente Ith | 22A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.65V |
| Eficiencia de conversión | 58% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-35 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,34 nm/grado |
Cuadro
Preguntas frecuentes:
¿Tiene algún límite de MOQ?
MOQ bajo, 10 unidades disponibles para comprobar muestras
¿Qué paquete?
Paquete de cartón original. O como requisito de clientes.
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