Barra láser desmontada de 20 W y 976 nm
Descripción general
Característica:
Modo de trabajo CW
100% modulación de potencia
Tecnología eficiente de disipación de calor de embalaje
Características de resistencia a altas temperaturas.
Embalaje COS disponible
Solicitud:
Semiconductores para láseres de diodo de alta-potencia en el procesamiento directo de materiales, para calefacción o iluminación. Semiconductores como fuentes de bombeo para láseres de fibra y de estado sólido-. Uso en tecnología de impresión.
Ficha de datos:
Número de artículo: LC940SM10
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 940 nm |
| Potencia de salida | 10W |
| Ancho espectral FWHM | Menor o igual a 5 nm |
| Ancho del emisor | 95um |
| Ancho de la cavidad | 390um-410um |
| Espesor de la cavidad | 95um-120um |
| Longitud de la cavidad | 3990um-4010um |
| Eficiencia de pendiente | Mayor o igual a 0,95W/A |
| Divergencia rápida del eje | 29 grados |
| Divergencia del eje lento | 9 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eléctrico | |
| Corriente umbral | 0.7-1.0A |
| Corriente de funcionamiento | 10.8-12A |
| Voltaje de funcionamiento | 1.75-1.95V |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 25 grados |
| Temperatura de longitud de onda. Coeficiente | 0,3 nm/grado |
Procedimiento de pedido:
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