Barras y chips láser de 12 W y 976 nm

Barras y chips láser de 12 W y 976 nm

Número de artículo: LC976SE12
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Descripción

 

Barras y chips láser de 12 W y 976 nm

Descripción del Producto

Las barras y chips láser de 12 W y 976 nm se producen bajo los más estrictos controles de calidad. Trabajamos únicamente con tecnología-de-nueva-epitaxia, procesamiento y revestimiento de facetas de última generación. Se utilizan métodos de soldadura estándar para ensamblar chips láser. El material admite tanto soldadura blanda (indio) como soldadura dura (oro/estaño). La configuración estándar del chip láser es una estructura emisora ​​separada en el lado p-. Bajo pedido, los chips láser están disponibles con metalización p-lateral continua y revestimientos facetarios adaptados, utilizando revestimientos de baja AR para el montaje de resonadores externos.

Características:

Excelente soldabilidad

Establezca el estándar de alta confiabilidad en aplicaciones de campo

Lote probado

Longitudes de onda disponibles (808-1064 nm)

Modo de trabajo CW, 1 emisor en el chip, modo de polarización TE

La eficiencia de conversión de nuestro chip puede alcanzar el 60%.

Nuevo diseño de estructura epitaxial y epitaxia del material.

10W 940nm Laser Diode Bare Bar
 

 

Especificación:

Número de artículo: LC976SE12

Nombre del artículo: Chip láser de emisor único de 12W 976nm

Óptico tipo
Longitud de onda central 976 nm
Potencia de salida 12W
Modo de trabajo CW
Ancho del espectro 4nm
Número de emisor 1
Ancho del emisor 95μm
Ancho de la cavidad 390-410μm
Longitud de la cavidad 3990-4010μm
Espesor de la cavidad 110-150μm
Divergencia rápida del eje (FWHM) 29 grados
Divergencia del eje lento (FWHM) 9 grados
Modo de polarización TE
Eficiencia de pendiente 1W/A
Eléctrico  
Corriente operativa Iop 13-14.5A
Umbral de corriente Ith 0.7-1A
Voltaje de funcionamiento Vop 1.75-1.95V
Eficiencia de conversión 58%
Térmico  
Temperatura de funcionamiento 25 grados
Coeficiente de temperatura de longitud de onda 0,35 nm/grado

Curva LIV

 

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