Barras y chips láser de 12 W y 976 nm
Las barras y chips láser de 12 W y 976 nm se producen bajo los más estrictos controles de calidad. Trabajamos únicamente con tecnología-de-nueva-epitaxia, procesamiento y revestimiento de facetas de última generación. Se utilizan métodos de soldadura estándar para ensamblar chips láser. El material admite tanto soldadura blanda (indio) como soldadura dura (oro/estaño). La configuración estándar del chip láser es una estructura emisora separada en el lado p-. Bajo pedido, los chips láser están disponibles con metalización p-lateral continua y revestimientos facetarios adaptados, utilizando revestimientos de baja AR para el montaje de resonadores externos.
Características:
Excelente soldabilidad
Establezca el estándar de alta confiabilidad en aplicaciones de campo
Lote probado
Longitudes de onda disponibles (808-1064 nm)
Modo de trabajo CW, 1 emisor en el chip, modo de polarización TE
La eficiencia de conversión de nuestro chip puede alcanzar el 60%.
Nuevo diseño de estructura epitaxial y epitaxia del material.

Especificación:
Número de artículo: LC976SE12
Nombre del artículo: Chip láser de emisor único de 12W 976nm
| Óptico | tipo |
| Longitud de onda central | 976 nm |
| Potencia de salida | 12W |
| Modo de trabajo | CW |
| Ancho del espectro | 4nm |
| Número de emisor | 1 |
| Ancho del emisor | 95μm |
| Ancho de la cavidad | 390-410μm |
| Longitud de la cavidad | 3990-4010μm |
| Espesor de la cavidad | 110-150μm |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 29 grados |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 9 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1W/A |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 13-14.5A |
| Umbral de corriente Ith | 0.7-1A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.75-1.95V |
| Eficiencia de conversión | 58% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 25 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,35 nm/grado |
Curva LIV

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