Barra desnuda de diodo láser de 50 W y 808 nm

Barra desnuda de diodo láser de 50 W y 808 nm

Chip láser de barra única de 50 W y 808 nm
Envíeconsulta
Descripción

 

Barra desnuda de diodo láser de 50 W y 808 nm

100W 808nm Laser Diode Bare Bar

Descripción del Producto

Las nuevas barras desmontadas han establecido el estándar de alta confiabilidad en aplicaciones del mundo real-. Y Brandnew continúa avanzando, con avances continuos en potencia, brillo, eficiencia y divergencia.

Las longitudes de onda incluyen 780-830 nm, 880 nm, 905-980 nm, 1064 nm y 1400-1500 nm. Las barras y astillas están disponibles en varios factores de relleno, anchos de franjas, anchos de barras y longitudes de cavidades, y se pueden desarrollar opciones personalizadas para satisfacer sus requisitos únicos.

Ficha de datos:

 

Óptico mín. tipo máx. Unidad
Longitud de onda central 798 808 818 Nuevo Méjico
Potencia de salida   50   W
Modo de trabajo   CW    
Ancho del espectro   4   Nuevo Méjico
Número de emisor   19    
Ancho del emisor   150   μm
Paso del emisor   500   μm
Factor de llenado   30   %
Ancho de la barra 9800 10000 10200 μm
Longitud de la cavidad 990 1000 1010 μm
Espesor 115 125 135 μm
Divergencia rápida del eje (FWHM)   39   grados
Divergencia del eje lento (FWHM)   9   grados
Modo de polarización   TE    
Eficiencia de pendiente 1.05 1.15   W/A
Eléctrico mín. tipo máx. Unidad
Corriente operativa Iop   48.5 50.5 A
Umbral de corriente Ith   6   A
Voltaje de funcionamiento Vop   1.8 2 V
Eficiencia de conversión 52 57   %
Térmico mín. tipo máx. Unidad
Temperatura de funcionamiento 15 25 35 grado
Coeficiente de temperatura de longitud de onda   0.28   nm/grado

 

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