Barra láser desmontada de 150 W y 808 nm
descripción general
Características:
• Tecnología epitaxial AAA exclusiva para mayor confiabilidad y vida útil
• Ofrece un factor de relleno del 75 %, produciendo una potencia de salida de láser QCW de hasta 150 W a una longitud de onda de 808 nm.
• Número de emisor 30; Ancho del emisor 120um; Paso del emisor 160um
• Alta eficiencia, establece el estándar de alta confiabilidad en aplicaciones de campo
• Divergencia de haz bajo y pequeña apertura de emisión de luz
Solicitud:
• Módulos láser semiconductores
• Procesamiento de materiales
• Dermatología y cirugía.
• Comunicación óptica en espacio libre

Especificación:
Número de artículo: LC808SB150Q
Nombre del artículo: Chip láser de barra única QCW de 150W 808nm
| Óptico | tipo |
| Longitud de onda central | 808nm |
| Potencia de salida | 150W |
| Ancho del espectro | 4nm |
| Ancho de la barra | 4800-5200μm |
| Longitud de la cavidad | 1490-1510μm |
| Espesor | 105-145μm |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 39 grados |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 10 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1.2W/A |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 145A |
| Umbral de corriente Ith | 25A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.9V |
| Eficiencia de conversión | 50% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-35 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,28 nm/grado |
Gráfico PIV
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