Barra láser desmontada de 150 W y 808 nm

Barra láser desmontada de 150 W y 808 nm

Número de artículo: LC808SB150Q
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Descripción

Barra láser desmontada de 150 W y 808 nm


descripción general

 

Características:

• Tecnología epitaxial AAA exclusiva para mayor confiabilidad y vida útil

• Ofrece un factor de relleno del 75 %, produciendo una potencia de salida de láser QCW de hasta 150 W a una longitud de onda de 808 nm.

• Número de emisor 30; Ancho del emisor 120um; Paso del emisor 160um

• Alta eficiencia, establece el estándar de alta confiabilidad en aplicaciones de campo

• Divergencia de haz bajo y pequeña apertura de emisión de luz

Solicitud:

• Módulos láser semiconductores

• Procesamiento de materiales

• Dermatología y cirugía.

• Comunicación óptica en espacio libre

10W 940nm Laser Diode Bare Bar

 

Especificación:

Número de artículo: LC808SB150Q

Nombre del artículo: Chip láser de barra única QCW de 150W 808nm

Óptico tipo
Longitud de onda central 808nm
Potencia de salida 150W
Ancho del espectro 4nm
Ancho de la barra 4800-5200μm
Longitud de la cavidad 1490-1510μm
Espesor 105-145μm
Divergencia rápida del eje (FWHM) 39 grados
Divergencia del eje lento (FWHM) 10 grados
Modo de polarización TE
Eficiencia de pendiente 1.2W/A
Eléctrico  
Corriente operativa Iop 145A
Umbral de corriente Ith 25A
Voltaje de funcionamiento Vop 1.9V
Eficiencia de conversión 50%
Térmico  
Temperatura de funcionamiento 15-35 grados
Coeficiente de temperatura de longitud de onda 0,28 nm/grado

Gráfico PIV

 

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