Barra desmontada del chip láser de 300 mW 500 mW 976 nm

El material de trabajo de la barra no montada con chip láser de 300 mW, 500 mW y 976 nm es un material semiconductor que forma una unión P-N combinando un semiconductor de tipo P- y un material semiconductor de tipo N-. A través de la corriente directa, se logra la inversión del número de partículas y, bajo las limitaciones técnicas del material reflectante, se logra la amplificación de la luz de radiación estimulada. Este proceso implica excitación eléctrica como fuente de bomba, material semiconductor como medio de ganancia, a través de la amplificación de selección del modo de cavidad resonante y luego emitir el láser para completar la conversión fotoeléctrica.