Descripción
Barra láser desmontada CW de 100 W y 808 nm
Descripción general
Características:
Tecnología única para mayor confiabilidad y vida útil
Potencia: 100W en sentido horario
Opciones de polarización TE
Alta eficiencia
Amplia variedad de configuraciones de barras (ancho del emisor, factor de llenado y longitud de la cavidad)
Solicitud:
Módulos láser semiconductores
Procesamiento de materiales
Dermatología y cirugía.
Comunicación óptica en espacio libre.

Especificación:
Número de artículo: LC808SB100
Nombre del artículo: Chip láser de barra única CW de 100W 808nm
| Óptico | tipo |
| Longitud de onda central | 808nm |
| Potencia de salida | 100W |
| Modo de trabajo | CW |
| Ancho del espectro | 4nm |
| Número de emisor | 47 |
| Ancho del emisor | 100μm |
| Paso del emisor | 200μm |
| Factor de llenado | 50% |
| Ancho de la barra | 10000μm |
| Longitud de la cavidad | 1500μm |
| Espesor | 125μm |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 39 grados |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 10 grados |
| Eficiencia de pendiente | 1.15W/A |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 105A |
| Umbral de corriente Ith | 18A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.8V |
| Eficiencia de conversión | 55% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15-35 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,28 nm/grado |
Gráfico PIV
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