Descripción
Chips de diodo láser de barra única de 200 W 808 nm, QCW, chips desnudos no unidos en el submontaje
Descripción general del producto: este producto es ampliamente utilizado en procesamiento industrial, médico, impresión, investigación científica, iluminación, pantalla láser y otros campos.Podemos proporcionar a los clientes alta potencia, larga duración, gran cantidad, diseño OEM de diferente potencia, diferente longitudes de onda de chips láser, también es necesario personalizarlo.
| Operación: | |
| Longitud de onda central | 808 nm |
| Potencia de salida óptica | 200W |
| Modo de operación | CW |
| Modulación de potencia | 100% |
| Geométrico: | |
| Números de emisores | 60 |
| Ancho del emisor | 120um |
| Paso del emisor | 160um |
| Factor de llenado | 75% |
| Ancho de barra | 10000um |
| Longitud de la cavidad | 1000um |
| Espesor | 125um |
| Datos electroópticos: | |
| Divergencia del eje rápido (FWHM) | 39 grados |
| Divergencia de eje lento (FWHM) | 10 grados |
| Ancho de banda espectral (FWHM) | 4 nm |
| Longitud de onda del pulso | 803 nm |
| Eficiencia de pendiente | 1.2W/A |
| Eficiencia de conversión | 50% |
| Corriente de umbral | 1.9~2A |
| Corriente de funcionamiento | 150~160A |
| Tensión de funcionamiento | 1.9~2.1V |
| Caracteristicas de temperatura | 0,28 nm / ℃ |
| Polarización | TE |
| Temperatura de funcionamiento LD | 25℃ |
 Detalle de productos |  Gráfico PIV |
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