¿Por qué la carga almacenada del diodo ha sido fácilmente
La carga de almacenamiento de diodos ha sido considerada como un enemigo, pero a veces si queremos usarlo, también podemos "hacer amigos enemigos"...
Cada tipo de diodo se llama una "carga de almacenamiento" (carga de almacenamiento) características, su efecto es cuando el diodo es el modo de conducción (el modo de conducción hacia adelante) por corriente de carga, puede dejar que el flujo de corriente no es parada inmediata, incluyendo varios apagados que vale la pena explorar.
El efecto básico de la carga de almacenamiento es que la tensión inversa en el diodo no se apaga inmediatamente, y la corriente seguirá fluyendo en la dirección opuesta desde la dirección opuesta durante un período de tiempo limitado. Para explicar más claramente, tomemos un circuito de rectificación de onda y media (mitad - circuito rectificador de onda) como ejemplo: en el primer caso, tenemos un diodo ideal de carga de almacenamiento cero, sin corriente inversa, desde debajo de la visible a su forma de onda ideal.
El rectificador de media onda de diodo de recuperación lenta
En el ejemplo anterior, cuando la onda sinusoidal cruza cero voltios, el interruptor de diodo no ocurre inmediatamente, pero hay un tiempo de transmisión inversa corto pero significativo;Además, el proceso de la forma de onda de salida a cero es muy rápido, por lo que los armónicos en la frecuencia de excitación son el "suelo fértil" de EMI, que puede ser muy difícil de controlar e inhibir.
Y si no hablamos del rectificador de onda completa por un momento, todavía se puede ver los pulsos de corriente de diodo inverso, y esos pulsos también pueden causar un cortocircuito de pulso alrededor de la fuente de excitación, como se muestra a continuación.
Cortocircuito instantáneo
La frecuencia del circuito y el pulso de corriente de cortocircuito producirán algunos problemas graves de EMI y ondulación. Por ejemplo, a continuación se muestra una estimación de un diodo bastante lento 1N4007, cuyo tiempo de recuperación nominal es de 30 mu Sec.
Tiempo lento de recuperación de diodos
Si la frecuencia de excitación es de 60 GHZ, el ciclo medio es 1/120 de un segundo o 8.3333 mSec, el ángulo de conducción de corriente inversa es de 180o multiplicado por 30 mu de la Sec, dividido por 8.3333 mSec, el resultado es 0.648o. Si se aplican 120 V RMS del orden de la energía de excitación, así como 0,648o de la tensión de excitación: 120 * SQRT (2) * sin (0,648o) a 1,92 V, el resultado es suficiente para conducir no queremos el cortocircuito de corriente de pulso, como el "circuito corto instantáneo" anterior que la flecha roja se muestra en la imagen.
Rectificador de media onda de diodo de recuperación rápida
Hasta ahora, los cargos de almacenamiento han sido considerados como "enemigos", pero a veces si queremos usarlo, podemos "hacer amigos". Si tomamos la frecuencia de excitación aumentada de 60 hz y 400 hz número de cable de alimentación a la modulación de frecuencia HF / VHF / UHF, y UTILIZA los componentes de diodo de recuperación paso yue nombrado (diodo de recuperación de paso), podemos obtener la rectificación de la siguiente:
Rectificación de media onda del diodo de recuperación de pasos
Aquí se puede ver, el diodo almacenado carga en un deliberadamente estirado ciclo de forma de onda de conducción piezas de ciclo de corriente en corriente inversa de mantenimiento, hasta 270o ideal; Como observamos antes de que un diodo de recuperación lenta produce frecuencia de excitación armónica no deseada, saltar un diodo de recuperación de pasos produce necesitamos frecuencia de excitación armónica, podemos hacer el siguiente diagrama de circuito de duplicación de frecuencia (multiplicador de frecuencia).
Circuito de frecuencia de diodo de recuperación de pasos
Imagine una entrada de 100MHz que producirá 300MHz de salida, muy hermoso!
Y luego vamos a ver otro componente, el diodo de alta frecuencia. Cuando la frecuencia es lo suficientemente alta, la carga de almacenamiento nunca se agotará deliberadamente; Podemos utilizar el diodo PIN tomará la carga como el nivel actual de la función de impedancia dinámica y las características de cambio, las características del diodo PIN como componentes variables de atenuación de señal RF/microondas (elemento atenuador de señal RF/microondas) para aplicar, la siguiente figura.
