La longitud de onda de luminiscencia del láser semiconductor es 0 con cambio de temperatura. 2-0. 3 nm / c, la anchura del espectro aumentará, afectará el brillo del color. Además, cuando la corriente de avance fluye a través de la unión p-n, y hace que el área de unión produce una pérdida febril, temperatura cerca de la temperatura ambiente, aumento de la temperatura por 1 oC, la intensidad luminosa del láser semiconductor se reducirá correspondientemente alrededor del 1%, enfriamiento de encapsulación; Mantener la pureza del color y la intensidad de la luminiscencia es muy importante. En el pasado, la corriente de conducción de la mayoría de los láseres semiconductores se redujo al reducir la temperatura de unión. La corriente de conducción de la mayoría de los láseres semiconductores se limitó a unos 20mA. Sin embargo, la salida óptica de los láseres semiconductores aumentará con el aumento de la corriente. La corriente motriz de muchos láseres semiconductores de potencia puede alcanzar niveles de 70mA, 100mA e incluso 1A. Es necesario mejorar la estructura del embalaje. Por ejemplo, se adopta la estructura de inversión de viruta de gran superficie, se selecciona el adhesivo de plata con buena conductividad térmica, se aumenta la superficie del soporte metálico y el portador de silicio de la protuberancia de soldadura se instala directamente en el método del disipador de calor. Además, el diseño térmico y la conductividad térmica de la placa de circuito PCB también son muy importantes en el diseño de la aplicación.
Corriente de accionamiento de láseres semiconductores