Matriz de láser de diodo G-Stack refrigerado por conducción de alta potencia

Nov 14, 2019

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Diseño especial paranecesidades militares, de bombeo, iluminación y diodos directos.

Cuatro modelos para diferentes aplicaciones. La longitud de onda es 808nm y 9XXnm.

15735432168920561


Óptico

Longitud de onda central λ

808nm ± 3nm9xxnm ± 3nm

Potencia de salida por barra

100/200/300
100
Ancho espectral FWHM≤4nm≤4nm

Numero de barras

1~36
1~36

Divergencia del eje rápido (FWHM)

GG lt; 40
GG lt; 40

Divergencia de eje lento (FWHM)

GG lt; 12
GG lt; 12

Modo de polarización

TE
TE

Eléctrico

Iop de corriente de funcionamiento

100/200/300A100A

Ith de corriente de umbral

15/20/25A10A

Voltaje de funcionamiento Vo

≤2V / barra

≤2V / barra

Eficiencia de conversión de energía

≥45%

≥45%

Térmico

Temperatura de funcionamiento

-45~60℃

-45~60℃

Temperatura de almacenamiento

-55~80℃

-55~80℃

Mejor temperatura

25℃

25℃



300W 940nm Laser Diode Stack for Military