Chip desnudo del laser del emisor único del diodo láser de 880nm 300W CW
Características:
- Alta potencia 300 W, longitud de onda de 880 nm
- Modo de trabajo QCW, número de emisores 60
- Modo de polarización TE, eficiencia de pendiente de 1,2 W/A
- Alto brillo, alta confiabilidad y estabilidad
- Disponible con cualquier configuración refrigerada por microcanal
Aplicaciones:
- Iluminación infrarroja
- Componente de bombeo láser
- Aplicación de cirugía
- Semiconductor para procesamiento de materiales.
Ficha de datos
Número de artículo: LC880SB300
Nombre del artículo: Chip láser de diodo emisor de luz
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 880 nm |
| Potencia de salida | 300W |
| Modo de trabajo | QCW |
| Ancho del espectro | 4nm |
| Número de emisor | 60 |
| Ancho del emisor | 120um |
| Paso del emisor | 160um |
| Factor de llenado | 75% |
| Ancho de la barra | 10000um |
| Longitud de la cavidad | 1500um |
| Espesor | 130um |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 39 grados |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 12 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1.2W/A |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 280A |
| Umbral de corriente Ith | 30A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.9V |
| Eficiencia de conversión | 55% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 25 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,3 nm/grado |
Dibujo:
Estas características convierten a los láseres semiconductores en el tipo de láser más importante, desde el punto de vista tecnológico. Sus aplicaciones están muy extendidas e incluyen telecomunicaciones ópticas, almacenamiento de datos ópticos, metrología, espectroscopia, procesamiento de materiales, bombeo de otros láseres y tratamientos médicos. Los chips simples pueden producir muchos láseres y muchos proveedores de equipos compran en grandes cantidades y luego fabrican sus propios equipos. Esperamos que nuestros productos puedan brindarle grandes beneficios.
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