chips láser de diodo desmontados del emisor multi de 40W 880nm para la fuente de bombeo
Característica:
Potencia de salida alta y confiable de 40 W y características de haz ideales
Modo de trabajo CW, 19 emisores individuales, factor de llenado del 30%
Tecnología eficiente de disipación de calor de embalaje
Características de resistencia a altas temperaturas.
Rendimiento estable y confiable
Solicitud:
Fuente de bombeo láser de estado sólido
Procesamiento directo de materiales
Uso en tecnología de impresión.
Iluminación láser, comunicación óptica en espacio libre.
Chip láser de emisor único de 40 W y 880 nm con modo de trabajo CW. Los chips láser de barra única de 40 W y 880 nm son el bloque de construcción básico para módulos láser semiconductores de alta potencia y alto brillo. La inspección en todos los aspectos llega a un resultado para garantizar cada producto con confiabilidad, estabilidad y larga vida útil.
Ficha de datos
Número de artículo: LC880SB40
Nombre del artículo: Chip láser CW de 40W y 880nm
| Óptico | |
| Longitud de onda del pulso | 880 nm |
| Potencia de salida | 40W |
| Modo de trabajo | CW |
| Ancho del espectro | 4nm |
| Número de emisor | 19 |
| Ancho del emisor | 150um |
| Paso del emisor | 500um |
| Factor de llenado | 30% |
| Ancho de la barra | 10000um |
| Longitud de la cavidad | 1000um |
| Espesor | 130um |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 39 grados |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 9 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1.15W/A |
| Eléctrico | |
| Corriente de operación típica | 41A |
| Corriente umbral típica | 6A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.8V |
| Eficiencia de conversión | 55% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 25 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0.28 nm/grado |
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