Descripción
Barra desnuda de diodo láser de 25 W y 976 nm
Descripción del Producto
Características:
Máxima calidad: controlamos estrictamente la producción de nuestros productos semiconductores mediante procesos claramente definidos.
Potente: potencia de salida alta y confiable y características de haz ideales.
Económico: Nuestros semiconductores son muy eficientes y se caracterizan por una larga vida útil.
Aplicaciones:
Los chips de diodo láser (SE) de emisor único son el componente básico de los módulos láser semiconductores de alta potencia y alto brillo.

Especificación:
Número de artículo: LC976SE25
| Óptico | tipo |
| Longitud de onda central | 976 nm |
| Potencia de salida | 25W |
| Modo de trabajo | CW |
| Ancho del emisor | 220μm |
| Paso del emisor | 430μm |
| Longitud de la cavidad | 4000μm |
| Espesor | 95-115μm |
| Ancho de banda espectral (FWHM) | 4nm |
| Eficiencia de pendiente | 1W/A |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 25A |
| Umbral de corriente Ith | 1.3A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.55V |
| Eficiencia de conversión | 65% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 20 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0.35 nm/grado |
Dibujo de curva de rendimiento y tamaño

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