Barra desnuda de diodo láser de 25 W y 976 nm

Barra desnuda de diodo láser de 25 W y 976 nm

Número de artículo: LC976SE25
Envíeconsulta
Descripción

 

Barra desnuda de diodo láser de 25 W y 976 nm

Descripción del Producto

Características:

Máxima calidad: controlamos estrictamente la producción de nuestros productos semiconductores mediante procesos claramente definidos.

Potente: potencia de salida alta y confiable y características de haz ideales.

Económico: Nuestros semiconductores son muy eficientes y se caracterizan por una larga vida útil.

Aplicaciones:

Los chips de diodo láser (SE) de emisor único son el componente básico de los módulos láser semiconductores de alta potencia y alto brillo.

3W 1550nm Unmounted Diode Laser Bar
 

 

Especificación:

Número de artículo: LC976SE25

Óptico tipo
Longitud de onda central 976 nm
Potencia de salida 25W
Modo de trabajo CW
Ancho del emisor 220μm
Paso del emisor 430μm
Longitud de la cavidad 4000μm
Espesor 95-115μm
Ancho de banda espectral (FWHM) 4nm
Eficiencia de pendiente 1W/A
Eléctrico  
Corriente operativa Iop 25A
Umbral de corriente Ith 1.3A
Voltaje de funcionamiento Vop 1.55V
Eficiencia de conversión 65%
Térmico  
Temperatura de funcionamiento 20 grados
Coeficiente de temperatura de longitud de onda 0.35 nm/grado

 

Dibujo de curva de rendimiento y tamaño

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