Chip de 808 nm y 2 W en diodo láser submontado

Chip de 808 nm y 2 W en diodo láser submontado

 

Características:

• Infrarrojo cercano-, ampliamente utilizado para aplicaciones médicas y de bombeo)
• Potencia de salida óptica: 2W
• Embalaje Chip on Submount (CoS) para una excelente gestión térmica y una fácil integración
• Lente FAC (colimación de eje rápido) integrada para reducir la divergencia del haz y mejorar la calidad del haz
• Alta densidad de potencia con tamaño compacto
• Alta eficiencia y rendimiento estable
• Larga vida útil y alta confiabilidad
• Adecuado para aplicaciones de acoplamiento de fibra o de espacio-libre

Aplicaciones:

• Bombeo láser-de estado sólido-bombeado por diodo (DPSS)
• Dispositivos médicos y estéticos (como depilación, tratamiento de la piel, fisioterapia)
• Procesamiento de materiales industriales (soldadura de plástico, soldadura fuerte, etc.)
• Iluminación y sistemas de iluminación en campos especializados.
• Investigación científica y experimentos de laboratorio.
• Sistemas ópticos de detección y detección.
• Iluminación de seguridad y visión nocturna.

Ficha de datos:

Número de artículo: COS808KZ2

Número de artículo: Láser de diodo COS de 808 nm y 2 W

Dibujo:

Chip de 2 W en diodo láser submontado|Proveedor de diodos láser infrarrojos de alta potencia:

Ofrecemos diodo láser chip on submount (CoS) de 808 nm y 2 W de alto-rendimiento con salida estable, excelente calidad del haz y gestión térmica superior. Este diodo láser infrarrojo de alta potencia se usa ampliamente para bombeo láser, dispositivos médicos estéticos, procesamiento de materiales e investigación científica. Tamaño compacto, alta confiabilidad y precio competitivo. OEM y personalización están disponibles. Entrega rápida y soporte técnico profesional.

Palabras clave principales:

Diodo láser de 808 nm, diodo láser de 2 W, láser chip en submontaje, láser infrarrojo de alta potencia, diodo láser CoS, proveedor de diodo láser, diodo láser industrial, diodo láser médico

Suministramos diodos láser de chip en submontaje (CoS) de 808 nm y 2 W de alto-rendimiento, que ofrecen una potencia de salida estable y una excelente calidad del haz para diversas aplicaciones industriales, médicas y de investigación. El paquete chip-on-submount garantiza una gestión térmica superior, un tamaño compacto y una fácil integración en sistemas OEM o módulos láser personalizados.

Con su longitud de onda de 808 nm y su potencia de salida óptica de 2 W, este diodo láser infrarrojo de alta-potencia se usa ampliamente en bombeo láser de estado sólido-bombeado por diodos-(DPSS), equipos médico estéticos (depilación, tratamiento de la piel), procesamiento de materiales (soldadura de plástico, soldadura), iluminación, experimentos científicos y sistemas de alineación láser.

Nuestros diodos láser se caracterizan por su alta confiabilidad, larga vida útil, rendimiento constante del haz y precios competitivos. Ofrecemos personalización OEM, entrega rápida y soporte técnico profesional para cumplir con los requisitos de su proyecto.

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