Descripción
Diodo láser de unión COS AuSn de 2W 808nm
Características:
- Diseño de chip en submontaje
- Alta estabilidad, larga vida útil
- Alta confiabilidad, unión AuSn
- Cumplimiento de RoHS
Solicitud:
- Médico
- Impresión
- Industria
- Bombeo
- BrandNew ofrece láseres de diodo que emplean tecnología de acoplamiento profesional, que disfrutan de múltiples ventajas, por ejemplo, diseño compacto, potencia de salida estable, alta potencia, alta eficiencia y embalaje conveniente.
- Estos módulos de diodos láser pueden proporcionar soluciones para aplicaciones de láser de fibra y proveedores directos.
- Las pruebas de rendimiento y envejecimiento se han realizado en la línea de producción para garantizar una vida útil confiable, estable y prolongada de los productos.
- Proporcionar a los clientes productos de alta calidad y alto costo es el objetivo de la empresa.
Especificación
Número de artículo: COS808KZ2
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 808nm±10nm |
| Potencia de salida | 2W |
| Ancho del emisor | 50um |
| Eléctrico | |
| Umbral de corriente Lth | 0.25A |
| Caída de corriente de funcionamiento | 2A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.9V |
| Térmico | |
| Temperatura de prueba. | 25 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0.35 nm/grado |
Dibujo:
Para la típica unión de matrices CoS con el lado P hacia arriba, la dimensión crítica de CoS, OH, para la unión de matrices HPLD es el saliente del chip láser de A (línea de superficie del emisor) a C (línea de superficie de AuSn).
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