Diodo láser de montaje en C de 1W 660nm
Características:
Potencia de salida de 1 W a alrededor de 660 nm
Otras longitudes de onda dentro de 660-1064nm son opcionales
El revestimiento de espejo patentado permite una alta confiabilidad
Unión Au / Sn del chip al disipador de calor abierto de montaje en C
Conformidad con la RoHS
Paquete opcional TO-can de 9 mm para operación QCW
Información adicional:
Las clasificaciones máximas absolutas se pueden aplicar al dispositivo solo por un período corto de tiempo. La exposición a clasificaciones máximas durante un período de tiempo prolongado o la exposición por encima de una o más clasificaciones máximas puede causar daños o afectar la confiabilidad del dispositivo.
Dibujo:
Ficha de datos:
Número de artículo: CM660DL1
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 660 ± 5 nm |
| Potencia de salida | 1W |
| Tamaño del emisor | 150x1um |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | ≥1.1W/A |
| Eléctrico | |
| Iop de corriente de funcionamiento | ≤1.5A |
| Ith de corriente de umbral | ≤0.5A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | ≤2.2V |
| Eficiencia de conversión de energía | ≥35% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 15~35℃ |
| Temperatura de almacenamiento | -40~80℃ |
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