Descripción
Chip láser VCSEL de 1W 940nm
Especificaciones mecánicas
Dimensiones
frente: 51 mil × 45 mil (1280 ± 25um × 1130 ± 25um)
dorso: 51 mil × 45 mil (1280 ± 25um × 1130 ± 25um)
espesor: 6mil (150 ± 25um)
almohadilla de unión: 92 ± 15um × 1070 ± 15um × 2
Apertura: 7 ± 2 um
Paso de emisión: 44 ± 1 um
Número de emisión: 621
Materiales y estructuras
sustrato: GaAs
p-metalización: aleación de Au
n-metalización: aleación de Au
estructura epitaxial: InGaAs MQWs
Caracteristicas
| Parámetro | Typ. |
| Longitud de onda central | 940 ± 10 nm |
| Potencia de salida | 3W |
| Tensión directa | 1.95V |
| Media ola | 1,1 nm |
| Eficiencia de pendiente | 1.02W/A |
| Longitud de onda dominante | 44.1% |
| Temp. De longitud de onda Coeficiente | 0,07 nm / ℃ |
| Corriente inversa | 1uA |
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