Descripción
Chip láser VCSEL de 150mW 940nm
Materiales y estructuras
sustrato: GaAs
p-metalización: aleación de Au
n-metalización: aleación de Au
estructura epitaxial: InGaAs MQWs
Caracteristicas
| Parámetro | Typ. |
| Longitud de onda central | 940 ± 10 nm |
| Potencia de salida | 150 mW |
| Tensión directa | 1.9V |
| Eficiencia de pendiente | 0.9W/A |
| Longitud de onda dominante | 42.6% |
| Temp. De longitud de onda Coeficiente | 0,07 nm / ℃ |
| Corriente inversa | 1uA |
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