Chip láser de diodo VCSEL de 1W y 850nm

Chip láser de diodo VCSEL de 1W y 850nm

1W 850nm VCSEL
Envíeconsulta
Descripción

 

Chip láser de diodo VCSEL de 1W 850nm con varios modos de funcionamiento para ratón láser, detección 3D

 

 

Característica:

Long lifetime>1000 horas

Alta estabilidad y alta confiabilidad

Tecnología de aislamiento de óxido

Respetuoso con el medio ambiente, bajo en carbono

Solicitud:

Iluminación láser

Radar láser

Detección 3D

Aplicaciones militares

product-600-450

 

 

 

Detalle rápido:

>Potencia de salida de 1 W, longitud de onda central de 850 nm

>Corriente de umbral bajo 0.4A

>Tamaño del troquel 960*950um

>Baja densidad de potencia óptica, más segura

>Embalaje SMT, tamaño pequeño, fácil de integrar.

 

1W 850nm VCSEL Diode Laser Chip

Ficha de datos

Nombre del artículo: Chip láser de diodo VCSEL de 1W 850nm

 

Parámetro  
Longitud de onda central 850±10nm
Potencia de salida 1W
Corriente umbral 0.4A
Corriente directa 2.7A
Eficiencia de conversión de energía 36%
Eficiencia de pendiente 0.96W/A
Tamaño del troquel 960×950um
Voltaje directo del láser 2.25V
Resistencia en serie 0.83Ω
Ángulo de haz 20 grados
Temperatura de longitud de onda. Deriva 0.07nm/grado
Temperatura de soldadura 260(5s) grados
sustrato Cu/Ag
Temperatura de funcionamiento de la caja 20 grados
Temperatura de almacenamiento 20 grados

 

Dibujo:

 

1w 850VCSEL drawing

 

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