Hangzhou Brandnew Technology Co., Ltd. es uno de los principales fabricantes y proveedores de China de matrices láser avanzadas de chip monomodo cw de 850 nm y 100 mw. Con una fábrica-de-moderna-tecnología, nos especializamos en todo el espectro de producción: desde chips de alto-rendimiento, soportes TO/F/C, COS y barras MCC, hasta pilas robustas y soluciones avanzadas-con fibra acoplada.
Troquel láser CW de chip monomodo de 850 nm y 100 mW
Características:
- 850 nm cerca-infrarrojoTroquel desnudo láser monomodo
- Operación de onda continua, potencia de salida típica100mW.
- Excelente calidad del haz monomodo-y ancho de línea estrecho
Aplicaciones:
- Comunicación óptica y transmisión de datos de modo único-: se utiliza para interconexión óptica de corto-alcance, fuente de luz de transceptor óptico, que admite transmisión de señal de alta-velocidad con características de haz de modo único-.
- Rango láser y fuente de luz LiDAR: se aplica en un rango en miniatura de alta-precisión, detección de proximidad industrial y chip central de transmisor LiDAR de baja-potencia.
- Espectroscopia biomédica y excitación de fluorescencia: como fuente de excitación monomodo-estable para detección biológica, análisis espectral e instrumentos de diagnóstico óptico médico.
- Visión artificial e imágenes de escaneo de precisión: Adecuado para escaneo láser, posicionamiento de lectura de códigos, detección de microdefectos, con buen rendimiento de colimación del haz.
Este es unTroquel láser sin empaquetar CW monomodo- de 850 nm y 100 mW, que presenta una salida monomodo perfecta, alta estabilidad de potencia y fácil integración del empaque. Ampliamente utilizado en comunicación óptica, alcance láser, detección espectral, visión artificial y desarrollo de módulos láser personalizados.
Ficha de datos
Número de artículo: LC850SE01
| Óptico | mín. | tipo | máx. | Unidad |
| Longitud de onda central | 840 | 850 | 860 | Nuevo Méjico |
| Potencia de salida | 100 | mW | ||
| Modo de trabajo | CW | |||
| Ancho del espectro | 2 | Nuevo Méjico | ||
| Ancho del emisor | 3 | mmm | ||
| Ancho de viruta | 250 | mmm | ||
| Longitud de la cavidad | 2000 | mmm | ||
| Grosor de la viruta | 90 | mmm | ||
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 30 | 35 | grados | |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 5 | 8 | grados | |
| Modo de polarización | TE | |||
| Eficiencia de pendiente | 1 | W/A | ||
| Eléctrico | ||||
| Corriente operativa Iop | 0.2 | 0.3 | A | |
| Umbral de corriente Ith | 0.1 | A | ||
| Voltaje de funcionamiento Vop | 1.8 | V | ||
| Eficiencia de la conversación | 40 | % | ||
| Térmico | ||||
| Temperatura de prueba | 25 | grado | ||
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0.35 | nm/ grado |
Etiqueta: Proveedores de matrices láser cw de chip monomodo de 850 nm y 100 mw, fabricantes de China, fábrica, venta al por mayor, fabricados en China