Microprocesador del laser del emisor único de 3W 808nm CW para la comunicación óptica del espacio libre
Los chips de diodo láser de emisor único (SE) son el bloque de construcción básico para módulos láser semiconductores de alta potencia y alto brillo. Nuestros productos se ensamblan fácilmente utilizando métodos de soldadura estándar.
Bajo pedido, también podemos producir barras con metalización continua del lado p y revestimientos de facetas adaptados, utilizando revestimientos de bajo AR para el montaje de resonadores externos.
Característica:
tecnología de disipación de calor de embalaje eficiente
bajo voltaje, alta eficiencia, larga vida útil
alta confiabilidad y rendimiento de alto costo
características de resistencia a altas temperaturas
Excelente soldabilidad
Solicitud:
Lidar de conducción autónoma
Siembra por láser de fibra
Dermatología y cirugía.
Procesamiento de materiales
Ficha de datos
No. del artículo: LC808SE3
Nombre del artículo: Chip láser de emisor único CW de 3W 808nm
Óptico | Typ |
Longitud de onda central | 808 nm |
Potencia de salida | 3W |
Modo de trabajo | CW |
Ancho del espectro | 2 nm |
Ancho del emisor | 100μm |
Paso del emisor | 500μm |
Longitud de la cavidad | 2000μm |
Grosor | 130μm |
| Divergencia rápida del eje | 35 grados |
| Divergencia rápida del eje | 9 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eficiencia de pendiente | 1.2W/A |
Eléctrico | |
Iop de corriente de funcionamiento | 2.8A |
Ith de corriente de umbral | 0.4A |
Voltaje de funcionamiento Vop | 1.75V |
Eficiencia de conversión | 60% |
Térmico | |
Temperatura de funcionamiento | 15-35℃ |
Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,28 nm / ℃ |
Dibujo:
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