Chip láser de emisor único de 5 W y 808 nm

Chip láser de emisor único de 5 W y 808 nm

Número de artículo: LC808SE5
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Descripción

Chip láser de emisor único de 5 W y 808 nm

Descripción del Producto
 

Las barras de diodos láser no montadas están disponibles en una variedad de longitudes de onda en versiones CW o QCW. Se debe tener mucho cuidado al manipular estos componentes. Recomendamos que solo los utilicen clientes con experiencia en el manejo y embalaje de barras de diodos láser.

Adaptaremos sus especificaciones a nuestros productos estándar o evaluaremos diseños modificados para satisfacer sus aplicaciones especiales. Nuestra barra de chip láser de emisor único de 5 W y 808 nm tiene alta calidad y alta eficiencia con modo de trabajo CW y coeficiente de temperatura de longitud de onda de 0,35 nm/grado. También se proporcionan otras longitudes de onda y potencia.

Durabilidad:Diseñado para ofrecer confiabilidad y rendimiento a largo plazo-en aplicaciones exigentes.

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Descripción general

 

Característica

Ancho de espectro de 4 nm, ancho de emisor de 100 um

Eficiencia de pendiente de 1 W/A, eficiencia de conversión del 58 %

Diseño optimizado de la estructura epitaxial.

Tecnología única para mayor confiabilidad y vida útil

Solicitud

Fuente de bombeo láser de fibra

Lidar de conducción autónoma

Comunicación óptica en espacio libre.

Iluminación láser

unmounted laser bar

 

Ficha de datos:

Número de artículo: LC808SE5

 

Óptico mín. tipo máx.
Longitud de onda central 805nm 808nm 811nm
Potencia de salida   5W  
Modo de trabajo   CW  
Ancho del espectro   4nm  
Ancho del emisor   100um  
Número de emisor   1  
Paso del emisor   100um  
Ancho de viruta 480um 500um 520um
Longitud de la cavidad 3980um 4000um 4020um
Espesor 115um 120um 125um
Divergencia rápida del eje (FWHM)   35 grados  
Divergencia del eje lento (FWHM)   10 grados  
Modo de polarización   TE  
Eficiencia de pendiente 0.95W/A 1W/A  
Eléctrico      
Iop de corriente operativa   5.5A 6A
Umbral de corriente Ith   0.9A  
Voltaje de funcionamiento Vop   1.8V  
Eficiencia de conversión   58%  
Térmico    
Temperatura de prueba   25 grados  
Coeficiente de temperatura de longitud de onda   0,35 nm/grado  

 

 

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