Descripción
Brandnew Technology, uno de los principales fabricantes y proveedores de láser de diodo en China, tiene una fábrica profesional que fabrica chips láser de barra única de 755 nm y 100 W de alta calidad y los vende a precios competitivos. Bienvenido a vender al por mayor nuestros productos fabricados en China.
Descripción de productos
Chip láser de barra única desnudo CW de 100 W y 755 nm
Características:
- Máxima calidad: Controlamos estrictamente la producción de nuestro chip láser mediante procesos claramente definidos.
- Potente: potencia de salida alta y confiable y características de haz ideales.
- Económico: Nuestros chips láser son muy eficientes y se caracterizan por una larga vida útil.
Aplicaciones:
- Industria: Semiconductores para láseres de diodos de alta potencia en el procesamiento directo de materiales, para calefacción o iluminación. Semiconductores como fuentes de bombeo para láseres de fibra y de estado sólido. Uso en tecnología de impresión.
- Medicina: Estética, dermatología y cirugía.

- Se pueden proporcionar chips desnudos sin probar. Escríbanos para consultar la disponibilidad.
- Los chips láser de Brandnew se pueden montar en una variedad de submontajes.
- Proveedor profesional de chips láser semiconductores de alta potencia de China. Los chips láser nuevos pueden cumplir con los más altos estándares de calidad de los clientes.
- Etiquetas calientes: Chip láser sin soldadura 100W 755nm proveedores, fabricantes China, fábrica, venta al por mayor, hecho en China,
N.º de artículo: LC755SB100
| Óptico | Tipo |
| Longitud de onda central | 755 nm |
| Potencia de salida | 100W |
| Modo de trabajo | En sentido contrario |
| Número de emisores | 47 |
| Ancho del emisor | 110μm |
| Paso del emisor | 200μm |
| Factor de llenado | 50% |
| Ancho de barra | 10 mm |
| Longitud de la cavidad | 1,5 mm |
| Espesor | 115μm |
| Ancho de banda espectral (FWHM) | 4,5 nm |
| Eléctrico | |
| Corriente de funcionamiento Iop | 100A |
| Corriente de umbral Lth | 20A |
| Voltaje de operación Vop | 2.0V |
| Eficiencia de conversión | 75% |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 0~55 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0.35 nm/grado |
Dibujo

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