Chips láser de diodo de 2W y 830nm
descripción general
Característica:
características de resistencia a altas temperaturas
Embalaje COS disponible
Tecnología única para mayor confiabilidad y vida útil
Divergencia de haz bajo y pequeña apertura de emisión de luz.
Solicitud:
Diseño especial para aplicación de impresión.
Módulos láser semiconductores
Procesamiento de materiales
Dermatología y cirugía.
Comunicación óptica en espacio libre.
Nota: PROTECCIÓN ESD: la descarga electrostática es la causa principal de fallas inesperadas del producto. Tome extremas precauciones para prevenir ESD. Utilice muñequeras, superficies de trabajo conectadas a tierra y técnicas antiestáticas rigurosas al manipular el producto.
Ficha de datos:
Número de artículo: LC830SM2
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 830nm |
| Potencia de salida | 2W |
| Ancho espectral FWHM | 3nm |
| Tamaño del emisor | 40um |
| Eficiencia de pendiente | 1.2W/A |
| Divergencia rápida del eje | 35 grados |
| Divergencia del eje lento | 10 grados |
| Modo de polarización | TE |
| Eléctrico | |
| Corriente umbral | 0.3A |
| Corriente de funcionamiento | 2A |
| Voltaje de funcionamiento | 1.8V |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 25 grados |
| Temperatura de longitud de onda. Coeficiente | 0,28 nm/grado |
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