Chip COS de 12 W y 975 nm en submontaje

Chip COS de 12 W y 975 nm en submontaje

Número de artículo: COS975DL12
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Descripción

Chip COS de 12 W y 975 nm en submontaje

 

características clave:

  • un ancho de emisor de 90 micras, lo que da como resultado un rayo láser más enfocado y potente
  • calidad y eficiencia superiores del haz
  • tecnología avanzada chip en chip (COS)
  • alta estabilidad y larga vida

aplicaciones:

  • Procesamiento de materiales
  • Médico
  • Investigación científica
975nm COS
  1. Su diseño compacto no solo facilita la integración en una variedad de sistemas, sino que también proporciona un rendimiento excelente en espacios reducidos.
  2. Con su construcción robusta y rendimiento confiable, este diodo láser es la primera opción para los profesionales que buscan calidad y durabilidad.
  3. Con múltiples ventajas, como alta confiabilidad, potencia de salida estable, alta potencia, alta eficiencia, larga vida útil y gran compatibilidad, se utilizan ampliamente en el mercado.

 

 

Especificación

Número de artículo:COS975DL12

Óptico  
Longitud de onda central 975nm±10nm
Potencia de salida 12W
Ancho del emisor 90um
Ancho del espectro FWHM 4nm
Eléctrico  
Umbral de corriente Lth 0.7A
Caída de corriente de funcionamiento 12A
Voltaje de funcionamiento Vop 1.7V
Térmico  
Temperatura de prueba. 25 grados
Coeficiente de temperatura de longitud de onda 0.35 nm/grado
Temperatura de almacenamiento -40~80 grados

 

Dibujo:

laser diode COS

 

 

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