Chip de 6W y 808 nm en láser de diodo submontado
Descripción
Características
- Potencia de salida de 6 W, longitud de onda central de 808 nm
- Montaje C-, montaje F-también disponible
- Coeficiente de temperatura de longitud de onda de 0,35 nm/grado
- Ancho de emisor de 100um/200um, paquete de chip en submontaje
Uso
- espectroscopia raman
- Militar / Aeroespacial
- Defensa y seguridad
- Fuente de bombeo láser de fibra
Presupuesto
Número de artículo:COS808DL6
Nombre del artículo: Láser de diodo COS de 808 nm y 6 W
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 808nm±10nm |
| Potencia de salida | 6W |
| Ancho del emisor | 200um |
| Eje rápido FWHM | 35 grados |
| Eje lento FWHM | 10 grados |
| Eléctrico | |
| Corriente umbral | 1A |
| Corriente de funcionamiento | 7A |
| Voltaje de funcionamiento | 1.65V |
| Térmico | |
| Temperatura de prueba | 25 grados |
| Almacenamiento | -30~70 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,35 nm/grado |
Dimensiones
Chip láser de diodo de 6 W y 808 nm en submontaje, los sub-módulos dentro del chip están sub-montados y se caracterizan por un montaje superior, inferior y lateral.
Es importante señalar que los emisores láser de diodo están disponibles en anchos de 100/200 μm.
Los chips sub-montados que ofrece Brandnew Laser son conocidos por sus dimensiones excepcionalmente compactas.
Para garantizar un rendimiento óptimo, este paquete de diodos láser SMD debe soldarse correctamente al disipador de calor con una lente de eje rápido.
Con una potente potencia de salida de 6 W y una longitud de onda central de 808 nm, este paquete láser está disponible en una configuración de montura C-, con alternativas como la montura F-.
Además, el paquete tiene un coeficiente de temperatura de longitud de onda de 0,35 nm/grado y un ancho de emisor de 100 μm o 200 μm, lo que enfatiza la versatilidad de esta tecnología avanzada.
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