10W 20W 976nm Barra láser desnuda con chip láser sin montar
Característica:
Longitud de onda: 976nm
Potencia de salida: 10 W, 20 W
Modo de operación: CW
Solicitud:
Industria: Semiconductores para láseres de diodo de alta potencia en procesamiento directo de materiales, para calefacción o iluminación. Semiconductores como fuentes de bombeo para láseres de fibra y de estado sólido. Uso en tecnología de impresión.
Medicina: Estética, Dermatología y Cirugía.
Número de artículo: LC976B10
Nombre del artículo: Chip láser desnudo de 10W 976nm
Óptico
Longitud de onda λ 973 ~ 979nm
Potencia de salida 10 ~ 12 W
Modo de trabajo CW
Ancho espectral FWHM ≤5nm
Ancho del emisor 95um
Ancho de la cavidad 390 ~ 410um
Espesor de la cavidad 95 ~ 120um
Longitud de la cavidad 3990 ~ 4010um
Divergencia del eje rápido (FWHM) 29 grados
Divergencia de eje lento (FWHM) 9 grados
Ancho espectral FWHM 4nm
Modo de polarización TE
Eficiencia de pendiente ≥0.95W / A
Eléctrico
Corriente de funcionamiento Iop 10,8 ~ 12 A
Umbral de corriente Ith 0.7 ~ 1.0A
Voltaje de funcionamiento Vop 1,75 ~ 1,95 V
Térmico
Temperatura de funcionamiento 25 ℃
Coeficiente de temperatura de longitud de onda ~ 0.3nm / ℃
Observaciones
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