Diodo láser de pila G- de 808 nm, 600 W, QCW, 5 barras
El diodo láser de pila G- de 808 nm, 600 W, QCW, 5 barras, tiene las características de alta potencia de salida, excelentes capacidades de gestión térmica y excelente confiabilidad. Al apilar varios chips juntos, aumentan considerablemente la potencia de salida del láser y pueden disipar rápidamente el calor generado por los chips duales, lo que garantiza la confiabilidad del producto y reduce los costos de producción. Además, los láseres apilados horizontalmente también se utilizan ampliamente en el procesamiento de materiales industriales, el bombeo de láseres sólidos y la investigación científica, como el uso de cristales de Nd para lograr una salida de láser de alta-potencia, y tienen amplias perspectivas de aplicación en alcance de radar láser, comunicaciones, imágenes 3D y otros campos.
Barra 1= centro 803 nm +/- 1 a 65 grados C
Barra 2= centro 806 nm +/- 1 a 65 grados C
Barra 3= centro 809 nm +/- 1 a 65 grados C
Barra 4= centro 812 nm +/- 1 a 65 grados C
Barra 5= centro 815 nm +/- 1 a 65 grados C
Ficha de datos:
Número de artículo: CC808HA600
| Óptico | Valor típico |
| Longitud de onda central | 808±10nm |
| Potencia de salida | 600W |
| Cantidad de barras | 6 |
| Modo de trabajo | QCW |
| Divergencia rápida del eje (FWHM) | 38 grados |
| Divergencia del eje lento (FWHM) | 12 grados |
| Frecuencia | 100Hz |
| Ancho de pulso | <200us |
| Ciclo de trabajo | <2% |
| Eléctrico | |
| Corriente operativa Iop | 100A |
| Umbral de corriente Ith | 15A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 12V |
| Térmico | |
| Temperatura de funcionamiento | 25 grados |
| Temperatura de almacenamiento | 0-55 grados |
Dibujo del paquete:
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