Diodo SMD VCSEL de 1W 850nm con PD
Descripción general
Características:
Modo longitudinal único de 850 nm
Deriva de longitud de onda baja
Tecnología de aislamiento de óxido
Corriente de umbral bajo
Alta confiabilidad
Fácil de colimar
Aplicaciones:
sensores 3D
lidares
iluminaciones infrarrojas
Aplicaciones médicas
Sensores de proximidad
Haz de salida circular
A diferencia de los emisores de borde-, el diodo SMD VCSEL de 1 W y 850 nm con PD emite en un haz circularmente simétrico con baja divergencia sin necesidad de ópticas adicionales. Esto ha sido una gran ventaja para los VCSEL de baja-potencia en los mercados de telecomunicaciones y comunicaciones de datos debido a su capacidad de acoplarse directamente a fibras ("acoplamiento a tope") con una alta eficiencia de acoplamiento. El diodo SMD VCSEL W 850 nm con PD emite en un perfil de haz cuasi-superior-, lo que hace que estos dispositivos sean ideales para el bombeo directo ("bombeo a tope") de Láseres-de estado sólido.
Características
| Parámetro | Tipo. |
| Longitud de onda central | 850±10nm |
| Potencia de salida | 1W |
| Corriente umbral | 0.15A |
| Corriente directa | 1.3A |
|
Eficiencia de conversión de energía |
35% |
| Eficiencia de pendiente | 0.87W/A |
| Área de emisión | 354×355um |
| Voltaje directo del láser | 2.2V |
| Resistencia en serie | 0.71Ω |
| Ángulo de haz | 18 grados |
| Temperatura de longitud de onda. Deriva | 0,07 nm/grado |
| Temperatura de soldadura | 260(10s) grados |
| sustrato | AIN |
| Temperatura de funcionamiento de la caja | -40-85 grados |
| Temperatura de almacenamiento | -40-105 grados |
Esquemas mecánicos
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