Troquel láser emisor de superficie de cavidad vertical, 10Gbps, 850nm, 2,5mW
La matriz VCSEL de 10 Gbps, 850 nm y 2,5 mW está diseñada para su uso en aplicaciones de comunicación de datos ópticas de alta-velocidad.
Características
Chip VCSEL de 850 nm
Modo longitudinal único
Velocidad de datos de bits superior a 10 Gbps
Tecnología de aislamiento de óxido
Corriente de umbral bajo
Alta confiabilidad
Aplicaciones
Comunicación de datos de alta velocidad
USB óptico
Cable óptico activo (AOC)
hdmi
Aplicaciones de detección
Presupuesto:
Número de artículo: VC850SE4
Nombre del artículo: Troquel VCSEL de 10 Gbps, 850 nm y 2,5 mW
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Parámetros |
Tipo. |
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Potencia óptica de pulso |
4,4 mW |
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Corriente umbral |
0.67A |
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Eficiencia de pendiente |
0,6 mW/mA |
| Eficiencia de conversión de energía | 24% |
| Aberturas | 300 |
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Longitud de onda máxima |
850nm |
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voltaje directo |
2.3V |
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Ángulo de haz |
29grados |
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Cambio de longitud de onda |
0,07 nm/grado |
| Temperatura de funcionamiento | -25-85 grados |
| Temperatura de almacenamiento | -40-105 grados |
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