Chip VCSEL de 808 nm y 50 W
Características:
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Alta densidad de potencia
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Alta eficiencia
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En comparación con los láseres de emisión de borde- (EEL), los VCSEL proporcionan puntos de haz redondos y más simétricos a los que es más fácil moldear ópticamente.
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Área de emisión grande y empaquetado de matriz 2D: Adecuado para escalamiento de potencia en sistemas modulares.
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Embalaje compacto: ideal para la integración en dispositivos compactos y{0}}producidos en masa.
Solicitud:
- Fuente de bombeo láser
- Equipos Médicos y Estéticos
- Espectroscopia e imágenes
- TOF/LiDAR/Sensores
El chip VCSEL de 808 nm y 50 W (láser emisor-de superficie de cavidad-vertical) es una fuente de láser infrarrojo de banda estrecha-de alta-potencia con luz emitida verticalmente. Se utiliza principalmente en sistemas como bombeo láser, calentamiento de materiales y aplicaciones biomédicas. Su estructura de emisión vertical permite una fácil integración en matrices 2D para mejorar la densidad de potencia.
Ficha de datos
Número de artículo:VC808ME50
Nombre del artículo: chip VCSEL multiemisor de 808 nm y 50 W.
| Óptico | Valor típico |
| Longitud de onda central λ | 808nm |
| Tolerancia de longitud de onda | ±10 nm |
| Potencia de salida | 50W |
| Modo de trabajo | CW |
| Divergencia total | 20 grados |
| Tamaño de la viruta | 5*5mm |
| Eléctrico | |
| Umbral de corriente Lth | 15A |
| Caída de corriente de funcionamiento | 60A |
| Voltaje de funcionamiento Vop | 2V |
| Térmico | |
| Temperatura de prueba | 25 grados |
| Temperatura de almacenamiento | -40~105 grados |
| Coeficiente de temperatura de longitud de onda | 0,07 nm/grado |
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