Matriz de láser de diodo VCSEL de 1000 W y 808 nm

Matriz de láser de diodo VCSEL de 1000 W y 808 nm

Brandnew presenta componentes de matriz y chip láser de emisión de superficie de cavidad vertical (VCSEL) de última generación diseñados para aplicaciones de comunicación y detección de datos. El láser de diodo VCSEL de 1000W y 808 nm no solo ofrece potencia y eficiencia excepcionales, sino que también cuenta con una extraordinaria vida útil operativa que supera las 10 000 horas, lo que garantiza una mayor estabilidad y confiabilidad. Reconociendo las limitaciones inherentes de los emisores VCSEL individuales en términos de tamaño y potencia de salida, también ofrecemos matrices VCSEL. En estos conjuntos, los chips VCSEL están densamente empaquetados para generar colectivamente un nivel de potencia de salida significativamente mayor.

Características clave:

Matriz láser de emisión superficial de cavidad vertical de 808 nm capaz de producir una potencia de salida de 1000 W.

Muestra una sensibilidad mínima a la temperatura de longitud de onda.

Opciones disponibles para colocación de chip en submontaje o disipador de calor a pedido.

Las funciones personalizables, como otras longitudes de onda, dimensiones de chip y patrones de emisor, están disponibles a pedido.

Uso

Fuente de bombeo de estado sólido

Corte por láser

Soldadura láser

Ficha de datos

Número de artículo:VC808HA1000

Tamaño del láser:

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