Descripción
Fotodiodo 900-2200nm PARA montar láser de diodo
Características:
- Rango de espectro: 900-2200 nm
- Id. de tensión de ruptura inversa=100uA: 1,6 V
- Diámetro de la superficie fotosensible: 1000um
- Corriente oscura Vr=0V: 0,03 uA
Aplicaciones:
- experimentos científicos
- Investigación
- Experimentación humana
Especificación
Número de artículo: TO850VC200
| Óptico | Valor típico |
| Rango de espectro | 900-2200nm |
| Responsabilidad Vr=0V λ=1550nm | 1.05A/W |
| Responsabilidad Vr=0V λ=2004nm | 1.2A/W |
| Id. de tensión de ruptura inversa=100uA | 1.6V |
| Capacitancia de unión F=1MHz, Vr=0V | 420pF |
| Capacitancia de unión F=1MHz, Vr=0.1V | 360pF |
| Diámetro de la superficie fotosensible | 1000um |
| Eléctrico | |
| Corriente oscura Vr=0V | 0.03uA |
| Corriente oscura Vr=0.1V | 3.5uA |
| Voltaje de trabajo | -0.1~0V |
| Resistencia de derivación Vr=10mV | 0.15M |
| Corriente inversa | 1mA |
| Corriente directa | 1mA |
| voltaje inverso | 0.1V |
| Térmico | |
| Temperatura de prueba | 25 grados |
| Cantidad de emisores de chips VCSEL | 48 |
Dibujo:
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