Diodo láser de montaje TO- de 808 nm

Diodo láser de montaje TO- de 808 nm

Semiconductor TO Can Diodo láser 808nm 500mw
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Descripción

 

Diodo láser de montaje TO- de 808 nm

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Descripción del Producto

El diodo láser de montaje TO-de 808 nm es un diodo láser de modo transversal múltiple de alto-rendimiento. El láser emite una potencia óptica de 500 mW con modo CW a una longitud de onda de 808 nm. El diodo láser de montaje TO. 808nm está sellado mediante un paquete TO-56 estándar con una ventana plana. Presenta y beneficia una alta eficiencia electroóptica y un empaque de soldadura dura, proporciona un funcionamiento confiable con alto rendimiento. Es ideal para aplicaciones de iluminación.

Ficha de datos:

 

Artículo Parámetro Unidad Mín. Típico Máx.
Óptico Potencia de salida mW   500 -
Longitud de onda láser Nuevo Méjico 804 808 812  
Ancho espectral Nuevo Méjico - 1.0 1.2  
Ancho del área de emisión µm - 50 -  
Coeficiente de temperatura nm/grado - 0.30 -  
Divergencia rápida del eje grados   34 38  
Divergencia del eje lento grados - 7 10  
Eléctrico Eficiencia de pendiente W/A 1.00 - -
Corriente umbral A - 0.10 0.15  
Corriente de funcionamiento A - 0.50 0.56  
Voltaje de funcionamiento V - 1.75 2.00  
Otros Temperatura de funcionamiento grado 10 ~ 50    
Temperatura de almacenamiento grado -10 ~ 60      

 

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