Láser de diodo en paquete TO9 de 2W y 660 nm
Características:
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Diodo láser azul de 2W a 660nm
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Altamente enfocable y capaz de ser bien-colimado
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Paquete compacto a TO-de 9 mm
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Amplio rango de temperatura de funcionamiento de 0 grados a 65 grados
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La tecnología láser azul de nitruro de galio permite una vida útil más larga a temperaturas elevadas
- oximetria
- Pruebas y análisis de materiales.
- Excitación de fluorescencia
- Proyector láser
- Pruebas de calidad de los alimentos.
Especificación
Número de artículo: TO660DL2
Nombre del artículo: 660 nm 2 W a láser de diodo
| Óptico | |
| Longitud de onda central | 660nm±10nm |
| Potencia de salida | 2W |
| Tamaño del emisor | 110um |
| Eléctrico | |
| Umbral de corriente lth | 0.5A |
| Caída de corriente de funcionamiento | 2.1A |
| Voltaje de trabajo | 2.2V |
| Térmico | |
| Temperatura de prueba | 25 grados |
| Temperatura de almacenamiento | -40~80 grados |
Dibujo:
PARA montar longitudes de onda incluidas: 405 nm, 445 nm, 450 nm, 520 nm, 635 nm, 638 nm, 640 nm, 650 nm, 660 nm, 780 nm, 785 nm, 795 nm,808 nm, 810 nm, 830 nm, 850 nm, 860 nm, 905 nm, 940 nm, 980 nm, 1050 nm, 1060 nm, 1064 nm, 1300 nm, 1310 nm, 1550 nm, 1653 nm, 2004 nm, 2327 nm, etc.
También se pueden personalizar otras longitudes de onda, ¡bienvenido a consultar!
Láser de diodo encapsulado TO9 de 2 W y 660 nm En comparación con otros láseres semiconductores de alta potencia, este diodo láser rojo no se ve relativamente afectado por la temperatura de funcionamiento, con un rango de temperatura de funcionamiento de la carcasa de -40 °C a 80 °C. La vida útil típica a 25 grados es de 20.000 horas. Por lo tanto, este diodo láser rojo es una opción confiable para una amplia gama de entornos y aplicaciones. Además, este láser GaN tiene un paquete especial TO5 (9 mm) que le proporciona una resistencia térmica menor que la típica de los diodos láser de este nivel de potencia. El TO-Can de 9 mm también está sellado herméticamente, lo que protege el chip láser semiconductor del polvo y otros contaminantes. Por el contrario, los diodos láser rojos e infrarrojos cercanos de alta potencia normalmente requieren un paquete tipo C, que tiene superficies expuestas.
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