Descripción
PIN de InGaAs de 1000 μm-PD A-CAN
Descripción del Producto
El láser contiene una cámara en la que se excitan los átomos de un medio, llevando sus electrones a órbitas más altas con estados de mayor energía.
El producto InGaAs 1000μm PIN-PD TO-CAN integra un Fotodiodo PIN de alta velocidad
Baja pérdida de retorno baja distorsión
Alta linealidad
Características
Alta linealidad
Operación de longitud de onda larga
Corriente oscura baja
Alta capacidad de respuesta
Excelente confiabilidad prestada
Aplicaciones
Monitoreo de energía
Monitoreo de EDFA y WDM
Receptor de detección óptica
Sistema AM CATV
Ficha de datos:
| Calificaciones máximas absolutas | |
| Temperatura de almacenamiento | -40-+125 grado |
| voltaje inverso | 0-+20V |
| Temperatura de soldadura | 260/10 grados/s |
| Condiciones de funcionamiento | |
| Temperatura de funcionamiento | -40-+85 grado |
| Voltaje inverso PD | 3.3-15V |
| Característica Opto – Eléctrica | |
| Longitud de onda óptica | 900-1650nm |
| Responsividad | 0.90A/W |
| corriente oscura | 1,5-10 nA |
| Capacidad | 50-80pF |
| Diámetro acivo | 1000μm |
Dibujo del paquete:
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