Diodo láser VCSEL de 850 nm

Diodo láser VCSEL de 850 nm

Potencia de salida de 4mW-50W
Envíeconsulta
Descripción

 

Diodo láser VCSEL de 850 nm


Características

Láseres emisores de superficie de cavidad vertical

VCSEL de 850 nm, longitud de onda de 940 nm disponible

Potencia de salida de 4mW-50W, para su elección

TO46, paquetes de matriz opcionales

Tecnología de aislamiento de óxido

Tiempo de subida corto

Alta fiabilidad

Fácil de colimar


Aplicaciones:

Lidars multicanal

Cortina laser

Sensores de telémetro

Sensores 3D

Detección 3D


500mW 850nm VCSEL Diode

Ficha de datos:


Parámetros

Typ.

Potencia óptica de pulso

50W

Corriente de umbral

0.1A

Corriente de pulso hacia adelante

120A

Área de emisión

370 * 371um

Longitud de onda máxima

850 nm

Voltaje de avance de pulso

38V

Ángulo de haz

20 grados

Cambio de longitud de onda

0,07 nm / ℃

Hora de levantarse

2ns

Temperatura de soldadura

260℃

Temperatura de funcionamiento de la caja

-40~85℃

Temperatura de almacenamiento

-40~105℃


Dibujo del paquete:

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